一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目？

这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。

目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12吋约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12吋晶圆。

国际上Fab厂通用的计算公式：

再将公式化简的话就会变成：

X就是所谓的晶圆可切割晶片数(dpw die per wafer)。

科普：wafer、 die 的区别

我们先从一片完整的（Wafer）说起：

Wafer ，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。

Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand 。那么，在wafer上剩余的，要不就是不稳定，要不就是部分损坏所以不足容量，要不就是完全损坏。原厂考虑到质量保证，会将这种die宣布死亡，严格定义为废品全部报废处理。

品质合格的die切割下去后，原来的就成了下图的样子，就是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。

这些残余的die，其实是品质不合格的。被抠走的部分，也就是黑色的部分，是合格的die，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。



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