晶圆划片工艺的重要质量缺陷 因为硅材料的脆性,机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力,结果在芯片的边缘产生正面崩角(FSC—Front Side Chipping)及背面崩角(BSC—Back Side Chipping)。 正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度,初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散,从而可能引起芯片断裂。另外,如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、防止划片损伤的密封环(Seal Ring)内部时,芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。 封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。如果将崩角大小作为评核晶圆切割质量/能力的一个指标,则可用公式来计算晶圆切割能力指数(Cpk)(图1)。